| Τόπος καταγωγής: | SUZHOU |
|---|---|
| Μάρκα: | PHOENIX |
| Πιστοποίηση: | ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 |
| Αριθμό μοντέλου: | CERAMIC3030 |
| Ποσότητα παραγγελίας min: | 5000pcs |
| Τιμή: | Διαπραγματεύσιμα |
| Συσκευασία λεπτομέρειες: | 4000PCS το /ROLL |
| Χρόνος παράδοσης: | 7-10 ημέρες |
| Όροι πληρωμής: | Western Union, MoneyGram, T/T |
| Δυνατότητα προσφοράς: | 4000K ΤΟ ΜΗΝΑ |
| Όνομα: | ΟΔΗΓΗΜΈΝΟ SMD CERAMIC3030 BIUE | λd: | 440-460nm |
|---|---|---|---|
| Δύναμη: | 2W | nput τάση (Β): | 3V |
| Φωτεινή ροή (lm): | 40-50lm | Εξουσιοδότηση (έτος): | 2 έτη |
| Χρόνος απασχόλησης (ώρες): | 20000 | Λειτουργούσα θερμοκρασία (℃): | -40-85 |
| Επισημαίνω: | 700ma τσιπ οδηγημένος,τσιπ 3030 οδηγημένος,3030 οδηγημένο 2w τσιπ |
||
ΟΔΗΓΗΜΈΝΟ SMD ΤΣΙΠ 3V 700MA 2W CERAMIC3030 40-50LM 440-460NM ΓΙΑ ΤΟ ΦΩΤΙΣΜΌ ΕΓΚΑΤΑΣΤΆΣΕΩΝ
Χαρακτηριστικό
Τιμές συμβόλων παραμέτρου
| Λειτουργούσα θερμοκρασία |
Τ op |
ελάχιστος. μέγιστο. |
-40 °C 120 °C |
| Θερμοκρασία αποθήκευσης |
Τ stg |
ελάχιστος. μέγιστο. |
-40 °C 120 °C |
| Θερμοκρασία συνδέσεων | Τ | μέγιστο. | 135 °C |
| Θερμοκρασία συνδέσεων absolute* | Tjabs | μέγιστο. | 150 °C |
| Μπροστινό ρεύμα | Ι |
ελάχιστος. μέγιστο. |
100 μΑ 2000 μΑ |
|
Ρεύμα κύματος τ ≤ 10 µs Δ = 0.005% TJ = 25 °C |
FS | μέγιστο. | 2000 μΑ |
| Αντίστροφη τάση 2) | Β | Μην σχεδιασμένος για την αντίστροφη λειτουργία | |
|
Το ESD αντιστέκεται την τάση ACC. σε ANSI/ESDA/JEDEC js-001 (HBM, κατηγορία 3B) |
ESD | 8 kV |
Αυτό ελέγχεται με τη δοκιμή 30 κομματιών. Κριτήρια περασμάτων: Καμία καταστροφική αποτυχία που επιτρέπονται, η φωτεινή ροή δεν πρέπει να είναι καλύτερες από L70B50 μετά από 1000 χ.
Χαρακτηριστικά
Ι = 700 μΑ TJ = 25 °C
Τιμές συμβόλων παραμέτρου
| Μέγιστο μήκος κύματος | λpeak τύπος. 445 NM |
|
Κυρίαρχο μήκος κύματος 3) Ι = 700 μΑ |
ελάχιστος 444 NM τύπος. 450 NM μέγιστο 457 NM |
| Φασματικό εύρος ζώνης στο rel, ανώτατο | ∆λ τύπος. 18 NM |
| Γωνία εξέτασης σε 50% IV | 2φ τύπος. 120 ° |
|
Μπροστινή τάση 4) Ι = 700 μΑ |
VF ελάχιστος 2.80 Β τύπος. 2.90 Β μέγιστο 3.20 Β |
| Αντίστροφο ρεύμα 2) | IR Μην σχεδιασμένος για την αντίστροφη λειτουργία |
| Ηλεκτρική θερμική σύνδεση αντίστασης/solderpoint με την αποδοτικότητα ηe = 65% | RthJS elec. τύπος. 1.3 Κ/W |
Μπροστινές ομάδες τάσης
Η ομάδα διαβιβάζει την τάση 4)
Ι = 700 μΑ
VF:
| 2.8v | 2.9v |
| 2.9v | 3.0v |
| 3.0v | 3.1v |
| 3.1v | 3.2v |
Μήκος κύματος
Ομάδα
Κυρίαρχο μήκος κύματος 3)
Ι = 700 μΑ
λdom
| 444nm | 449nm |
| 449nm | 453nm |
| 453nm | 457nm |
Σχετική φασματική εκπομπή
Irel = φ (λ) ΕΑΝ = 700 μΑ TJ = 25 °C
Χαρακτηριστικά ακτινοβολίας
Irel = φ (ϕ) TJ = 25 °C
Διαστατικό σχέδιο
Επιπλέον πληροφορίες: 29,0 mg
Κατά προσέγγιση βάρος: Συσκευασία που χαρακτηρίζει: Κάθοδος
Δοκιμή διάβρωσης: Κατηγορία: 3B
Όρος δοκιμής: 40°C/90% RH/15 PPM H2S/14 ημέρες (ακριβέστερες από το IEC 60068-2-43)
Συμβουλές ESD: Η συσκευή προστατεύεται από τη συσκευή ESD που συνδέεται παράλληλα με το τσιπ.
Σχεδιάγραμμα συγκόλλησης επανακυκλοφορίας
Το προϊόν συμμορφώνεται στο επίπεδο 2 ACC MSL. σε JEDEC j-STD-020E
Χαρακτηριστικό γνώρισμα σχεδιαγράμματος Σύμβολο PB-ελεύθερη συνέλευση (SnAgCu) Μονάδα
Ελάχιστο μέγιστο σύστασης
|
Ράμπα-επάνω στο ποσοστό στο preheat*) 2 25 °C σε 150 °C |
3 | K/s |
|
TS 60 100 Τ στο Τ |
120 | s |
|
Ράμπα-επάνω στο ποσοστό σε peak*) 2 Τ στο Τ |
3 | K/s |
| TL θερμοκρασίας Liquidus 217 | °C | |
| Χρόνος επάνω από tL θερμοκρασίας liquidus 80 | 100 | s |
| Μέγιστη θερμοκρασία Τ 245 | 260 | °C |
|
Χρόνος μέσα σε 5 °C της διευκρινισμένης αιχμής 10 20 θερμοκρασία TP - 5 Κ |
30 | s |
|
Ράμπα-κατεβάστε rate* 3 Τ σε 100 °C |
6 | K/s |
|
Χρόνος 25 °C σε TP |
480 | s |
Όλες οι θερμοκρασίες αναφέρονται στο κέντρο της συσκευασίας, που μετριέται σχετικά με την κορυφή του υπολογισμού DT/Dt συστατικών * κλίσεων: Μέγιστο 5 s της DT εκπλήρωση για ολόκληρο το τ
